紅外顯微鏡

紅外顯微鏡可對(duì)裸眼不可見(jiàn)的區(qū)域進(jìn)行無(wú)損的檢查和分析,以及近紅外觀察特化的顯微鏡。能對(duì)半導(dǎo)體晶片內(nèi)部和集成電路組件背面進(jìn)行無(wú)損的CPS bumps觀察

電子設(shè)備在當(dāng)今現(xiàn)代科技中已非常普遍。每個(gè)人很有可能已經(jīng)在使用電子設(shè)備時(shí)，間接遇到并使用了硅晶圓。 晶圓是一種薄的半導(dǎo)體材料基材，用于制造電子集成電路。半導(dǎo)體材料種類(lèi)多樣，電子器件中*常用的一種半導(dǎo)體材料是硅 (Si)。硅晶圓是集成電路中的關(guān)鍵部分。它由高純度、幾乎無(wú)缺陷的單晶硅棒經(jīng)過(guò)切片制成，用作制造晶圓內(nèi)和晶圓表面上微電子器件的基板。硅晶圓會(huì)積累在生長(zhǎng)、切割、研磨、蝕刻、拋光過(guò)程中的殘余應(yīng)力。因此，硅晶圓在整個(gè)制造過(guò)程中可能產(chǎn)生裂紋，如果裂紋未被檢測(cè)到，那些含有裂紋的晶圓就在后續(xù)生產(chǎn)階段中產(chǎn)生無(wú)用的產(chǎn)品。裂紋也可能在將集成電路分割成單獨(dú) IC 時(shí)產(chǎn)生。因此，若要降低制造成本，在進(jìn)一步的加工前，檢查原材料基材的雜質(zhì)，裂紋以及在加工過(guò)程中檢測(cè)缺陷非常重要。

近紅外一般定義為700-1600nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光線，由于硅傳感器的上限約為1100nm，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶。大量使用可見(jiàn)光難以或無(wú)法實(shí)施的應(yīng)用可通過(guò)近紅外成像完成。當(dāng)使用近紅外成像時(shí)，水蒸氣、霧和硅等特定材料均為透明，因此紅外顯微檢測(cè)被應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)方面。

BX/MX系列紅外顯微鏡配置IR專(zhuān)用物鏡可用于透過(guò)硅材料成像，進(jìn)行半導(dǎo)體檢查和測(cè)量。配備的5X到100X紅外（IR）物鏡，提供了從可見(jiàn)光波長(zhǎng)到近紅外的像差校正。對(duì)于高放大倍率的物鏡，配備了LCPLN-IR系列帶校正環(huán)的物鏡，校正由樣品厚度導(dǎo)致的像差，使用一個(gè)物鏡即可獲取清晰的圖像。